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石英晶體振蕩器
- 編號(hào)：53233897
- 頻率：32.768KHZ
- 尺寸：8.0*3.8mm
E1WS無(wú)源晶體,ECLIPTEK晶振,E1WSDA12-32.768K-TR晶振
E1WS無(wú)源晶體,ECLIPTEK晶振,E1WSDA12-32.768K-TR晶振，貼片表晶32.768KHZ系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可...
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E1WS無(wú)源晶體,ECLIPTEK晶振,E1WSDA12-32.768K-TR晶振，貼片表晶32.768KHZ系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
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E1WS無(wú)源晶體,ECLIPTEK晶振,E1WSDA12-32.768K-TR晶振，Ecliptek日蝕晶振公司成立于1987年,是一家SMD石英晶體,貼片晶振頻率元件控制市場(chǎng)上公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者.日蝕晶振公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┳詈玫氖⒕w,貼片晶振,石英水晶和有源晶振,石英晶體振蕩器,貼片振蕩器產(chǎn)品.
服務(wù)是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時(shí)時(shí)為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對(duì)于我們的石英晶振,貼片晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品的質(zhì)量要求以及服務(wù)價(jià)值.格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| Nominal Frequency | 32.768KHz |
| Frequency Tolerance | ±20ppm at 25°C |
| Frequency Stability | Parabolic -0.042ppm/(Change in °C)² Maximum |
| Aging at 25°C | ±3ppm/year Maximum |
| Operating Temperature Range | -10°C to +60°C |
| Load Capacitance | 12.5pF Parallel Resonant |
| Shunt Capacitance (C0) | 0.85pF Typical, 2pF Maximum |
| Motional Capacitance | 2.0fF Typical |
| Equivalent Series Resistance | 60,000 Ohms Maximum |
| Mode of Operation | Tuning Fork, Turn Over Temperature at 25°C ±5°C |
| Drive Level | 1µWatt Maximum |
| Storage Temperature Range | -40°C to +85°C |
| Insulation Resistance |
500 Megaohms Minimum at 100Vdc |
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激勵(lì)功率
在SMD晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）.
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.E1WS無(wú)源晶體,ECLIPTEK晶振,E1WSDA12-32.768K-TR晶振.
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）.
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
ECLIPTEK晶振公司將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意.E1WS無(wú)源晶體,ECLIPTEK晶振,E1WSDA12-32.768K-TR晶振.
ECLIPTEK晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).
ECLIPTEK歐美晶振公司在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)有源晶體振蕩器產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值,給社會(huì)帶來(lái)溫馨和安寧,感動(dòng)和驚喜,同時(shí)為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處.
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