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石英晶體振蕩器
- 編號：72949068
- 頻率：512.288kHz
- 尺寸：1.5x0.8mm
SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振
SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振，美國進口晶振，SiTime晶振，型號：SiT1576，編碼為：SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q，頻率為：512.288kHz，小體積晶振尺寸：1...
SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振，美國進口晶振，SiTime晶振，型號：SiT1576，編碼為：SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q，頻率為：512.288 kHz，小體積晶振尺寸：1.5x0.8mm，CSP，SMD晶振，TCXO溫補晶振，四腳貼片晶振，石英晶振，有源晶振，石英晶體振蕩器。特點：1Hz到2.5MHz ±5ppm全包頻率穩定性，工廠可編程輸出頻率，世界上最小的TCXO占地面積：1.2mm2，尺寸1.5 x 0.8mm CSP，不需要外部旁路帽，改進穩定性降低系統功率與更少的網絡計時更新，超低功率：6µA（100kHz），石英晶體振蕩器電源電壓范圍： 1.62V到3.63V，工作溫度范圍：-20°C到+70°C，-40°C到+85°C，無鉛，RoHS和達到兼容。應用程序：健康和健康監視器，智能筆，ULP輸入設備，專有無線，傳感器接口。
SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振，參數表
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Unit | Condition |
| Frequency and Stability | ||||||
| Output Frequency | FOUT | 1 | 2.5 M | Hz | ||
| Total Frequency Stability[1] | F_stab | -5 | 5 | ppm | All inclusive, Stability code: E | |
| -20 | 20 | ppm | All inclusive, Stability code: 1 | |||
| Allan Deviation | AD | 1e-8 | 4e-8 | 1 second averaging time | ||
| First Year Frequency Aging | F_aging | ±1 | ppm | TA = 25°C, VDD = 1.8V | ||
| Jitter Performance | ||||||
| Integrated Phase Jitter | IPJ | 2 | 3.5 | nsRMS |
F OUT > 1 kHz, Integration bandwidth = 100 Hz to F OUT /2. Inclusive of 50 mV peak-to-peak sinusoidal noise on VDD. Noise frequency 100 Hz to 20 MHz |
|
| Period Jitter | PJ | 2.2 | 4.5 | nsRMS |
Cycles = 10,000, f = 100 kHz. Per JEDEC standard 65B, tested at 100 kHz. See performance plot for other frequencies. |
|
| Peak-to-Peak Period Jitter | PJp-p | 20 | 35 | nsp-p | ||
| Supply Voltage and Current Consumption | ||||||
| Operating Supply Voltage | VDD | 1.62 | 3.63 | V | ||
| No Load Supply Current | IDD | 3.65 | 5 | µA | F OUT = 1 Hz | |
| 4.5 | 5.5 | F OUT = 33 kHz | ||||
| 6 | 7 | F OUT = 100 kHz | ||||
| 13 | 16 | F OUT = 1 MHz | ||||
| 33 | 40 | FOUT = 2 MHz | ||||
| Start-up Time at Power-up | t_start | 150 | 300 | ms |
FOUT > 200 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit. |
|
|
300 + 2.0 cycles |
300 + 2.5 cycles |
10 Hz < FOUT ≤ 200 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit. |
||||
|
500 + 2.5 Cycles |
1 Hz ≤ FOUT ≤ 10 Hz. Measured when supply reaches 90% of final VDD to the first output pulse and within specified min/max frequency limit. |
|||||
| Operating TemperatureRange | ||||||
| Operating TemperatureRange | Op_Temp | -20 | 70 | °C | “C” ordering code | |
| -40 | 85 | °C | “I” ordering code | |||
| LVCMOS Output | ||||||
| Output Rise/Fall Time | tR, tF | 9 | 20 | ns | 20-80%, 15 pF load, VDD = 1.8V +/- 10% | |
| Output Clock Duty Cycle | DC | 45 | 55 | % | ||
| Output Voltage High | VOH | 90% | VDD | I OH = -50 µA, 15 pF load | ||
| Output Voltage Low | VOL | 10% | VDD | I OL = 50 µA, 15 pF load | ||
SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振，尺寸圖
SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振
SiT1576是一款超小、超低功率的工廠可編程TCXO，輸出頻率范圍在1 Hz到2.5 MHz之間。SiTime的硅MEMS技術使世界上最小的足跡和芯片規模封裝（CSP）的第一個1Hz-2.5MHz TCXO。典型的供電電流只有6µA（100 kHz)。
SiTime晶振的MEMS振蕩器由一個MEMS諧振器和一個可編程模擬電路組成。SiT1576 MEMS諧振器是建立與SiTime的獨特的MEMS第一®工藝。一個關鍵的制造步驟是EpiSeal®，在此期間MEMS諧振器在溫度超過1000°C。EpiSeal創建了一個非常強大的，清潔的，真空室，封裝了MEMS諧振腔，并確保了最好的性能和可靠性。在EpiSeal期間，一個聚硅蓋生長在諧振腔的頂部，這消除了額外的蓋晶片或其他外來包裝的需要。因此，SiTime的MEMS諧振器?？梢韵袢魏纹渌雽w模一樣使用。SiTime的MEMS First和EpiSeal制造過程的一個獨特結果是，能夠將SiTime的MEMS模具與SOC、ASIC、微處理器或模擬模具集成在一個封裝中，以消除外部定時組件，并為客戶提供高度集成、更小、更便宜的解決方案。
SiTime溫補晶振,SiT1576AI-J1-25-0512.288000Q,低抖動晶振,ULP輸入設備6G晶振,小體積晶振
TCXO溫補振蕩器頻率穩定性：SiT1576在多個溫度點上進行了工廠校準（修剪），以保證在溫度上具有極緊密的穩定性。石英晶體具有經典的音叉拋物線溫度曲線，25°C周轉點，0.04~0.06ppm/°C2溫度系數，SiT1576溫度系數通過主動溫度校正電路進行溫度校正。結果是，在-40°C到+85°C溫度范圍內，具有極緊密的頻率變化。
當使用頻率計數器測量SiT1576的輸出頻率時，必須確保計數器的門極時間為>100 ms。更短的柵極時間可能導致不準確的測量類似地，在1 Hz將需要增加頻率到500 Hz的頻率范圍。
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