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首頁進(jìn)口晶振富士晶振,Quartz crystal,FSX-3M石英晶體諧振器
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    富士晶振,Quartz crystal,FSX-3M石英晶體諧振器

  • 編號(hào):63455707
  • 頻率:12~50MHz
  • 尺寸:3.2*2.5*0.7
  • RoHS
  • RoHS2
3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性適合用于汽車電子部件,晶體在嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛...

        富士晶振,Quartz crystal,FSX-3M石英晶體諧振器.小型表面貼片型貼片晶振,較適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從12MHz起對(duì)應(yīng),小型,薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在惡劣嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊盤以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200認(rèn)證.
        石英晶振真空退火技術(shù):晶振Crystal的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

        富士晶振公司股份有限公司位于日本山梨縣南都留郡富士河口湖町勝山1430-1富士晶振公司主要以貼片石英晶振,電子元件,三端穩(wěn)壓管,LED照明,高壓電容器,薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開發(fā),在于2013年開始處理,軟件的開發(fā),今后在有線、無線通信設(shè)備的本公司商品化目標(biāo).今后更能迅速滿足市場(chǎng)的需求,不斷提高晶振精度.目前針對(duì)中國市場(chǎng)主要以石英晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振系列產(chǎn)品作為主打的晶振廠家.

富士晶振 單位 FSX-3M晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 12MHz~50MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -30°C ~ +85°C 裸存
工作溫度 T_use -10°C ~ +70°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 100μW Max. 推薦:100μW ~ 300μW
頻率公差 f_— l ±10~±50 × 10-6  +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://m.tuanchewang.com/
頻率溫度特征 f_tem ±10~±50 × 10-6 /-10°C ~ +70°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 10pF ~ ∞ 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年



粘合劑
        請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致貼片石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
        請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
靜電
        過高的靜電可能會(huì)損壞無源晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
未用輸入終端的處理
        未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.
熱影響
        重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的有源晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
        進(jìn)口晶振的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
        不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致有源晶振無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

       富士通石英晶振堅(jiān)持在晶振生產(chǎn)過程中保護(hù)、在保護(hù)中發(fā)展,積極探索環(huán)境保護(hù)新道路,切實(shí)解決影響科學(xué)發(fā)展和損害群眾健康的突出環(huán)境問題,全面開創(chuàng)環(huán)境保護(hù)工作新局面.
充分認(rèn)識(shí)加強(qiáng)環(huán)境保護(hù)工作的重要性和緊迫性,把環(huán)境保護(hù)擺在更加重要的戰(zhàn)略位置,以對(duì)國家、對(duì)民族、對(duì)子孫后代高度負(fù)責(zé)的精神,切實(shí)做好環(huán)境保護(hù)工作,推動(dòng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)全面協(xié)調(diào)可持續(xù)發(fā)展.
        富士通晶振公司提供從材料的選定到廢棄過程中考慮環(huán)境質(zhì)量的產(chǎn)品.加強(qiáng)制度建設(shè),深化環(huán)境監(jiān)管,向環(huán)境污染宣戰(zhàn),促進(jìn)經(jīng)濟(jì)與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展.
積極參與公司內(nèi)部活動(dòng)和地區(qū)環(huán)境改善活動(dòng),為社會(huì)做出貢獻(xiàn),實(shí)現(xiàn)公司的社會(huì)責(zé)任.實(shí)施公司內(nèi)部環(huán)境培訓(xùn)和訓(xùn)練,推進(jìn)防污染和環(huán)?;顒?dòng).遵守國內(nèi)外法律,遵守與客戶和地區(qū)的約定事項(xiàng),與日常業(yè)務(wù)相融合,努力開展繼續(xù)改善環(huán)境的工作.
        創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,3225石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構(gòu)筑和革新既可以降低環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng).

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